Rakentelin noista W-CDMA LDMOS drivereista (blf1822-10/blf2043f) 40W vahvistimen 13cm ra-bandi (2320MHz) käyttöön.

90 asteen rengashybridin mitat hain simuloimalla Aplac:illa ja tekemällä kaksi protoa ennen kaikkien 6 kpl tekemistä. Tein kaikki hybridit samasta teflon-levyn palasta toleranssi ongelmien minimoinniksi. Sain hybridien amplitudi vasteen johonkin 0.25dB sisään ja vaihevasteen johonkin 2 asteen tarkkuuteen. Amplitudi vaste tuntuu olevan herkkä trakkien leveydelle eli impedanssit on syytä olla tarkasti 50 ohm ja 35 ohm. Keinokuormina käytin alunperin 70cm käytössä olleita kaubamies mallisia 30W kuormia. Mukana käppyröitä, kuvia sekä Aplac tiedosto hybrideistä. 

5 kpl vahvistin moduleita tein suoraan "riittävällä" säätövaralla teflonlevyllä. Yksittäisestä vahvistimesta irtoaa noin 10 dB vahvistusta 75mA biasvirralla ja tehoa kompressiossa noin 12W 28VDC käyttöjännitteellä ja 1.5W ohjauksella. Inputin sovitus on huono (S11 joku 7dB). Rinnakkain tulevien vahvistinmodulien amplitudi ja vaihevaste on syytä tunata käsin samaksi. Ilman tunausta erityisesti vaihevaste heiluu +-20 astetta modulista toiseen. Vaiheen saa paikalleen muuttamalla inputin mikroliuskan pituutta ja amplitudi on helpoin säätää kohdalleen pienellä biasin trimmauksella. Mukana käppyröitä ja kuvia. Leiska kuva on vahvistinmodulien osalta päivitetty mattopuukko säädettyjen mikroliuskojen mukaan eli en ole tuota mukana olevaa leiskaa itseasiassa suoraan kokeillut. Leiskassa on paketti "virityspaloja" kunkin mikroliuskan päässä. Erityisesti transistorin lähellä olevat M3 ruuvit (paikat leiskassa) on syytä kiristää tiukkaan - muutoin ei RF maavirta siirry jäähdytyslevyyn jyrsityissä poteroissa olevista transistorien sourceista piirilevyn alapintaan.

DC-poweroinnissa käytin käyttöjännitteessä 4-5 kierrosta lankaa induktanssina DC-syötössä mikroliuskalle ja sopivaa konkkapatteria. Biasin tein reguloimalla LM317 regulla 28VDC:stä, jonkun 8VDC. 8VDC vein kullekin modulille, jossa edelleen bias säädetään 5k trimmerillä. Trimmerin liu'ulta on sopivasti konkkia maihin ja 1k sarjavastus LDMOSsin kannalle. Vahvistimeen saa helposti PTT:n sulkemalla LM317 regun kun ollaan RX-tilassa. Koko vahvistimen käyttösähkö tulee mekaniikkaan tukevan läpivientikonkan kautta. Lisäksi käyttösähkö kulkee 60 asteessa aukeavan, jäähdytyslevyyn pultatun lämpösuojan kautta.

Tehomittaus on toteutettu mikroliuskasuuntakytkimellä ja mahdollisimman simppelillä lämpötilakompensoimattomalla diodi+vastus kytkennällä.   

Koeponnistin vahvistimen 28.5VDC käyttöjännitteellä. 40W CW:tä lähtee jollain 0.65W ohjauksella. Maksimi lähtöteho on 47W 0.8W ohjauksella, mutta lineaarisuudesta on tällä teholla turha puhua. Vahvistin antoi 40W taajuusalueella 2250 - 2450 MHz. Jäähdytyslevyn mitoitus tuntuu riittävältä eli vahvistimen voisi mahdollisesti asentaa mastokoteloon.

Varoitus: Allekirjoittanut ei ota minkäänlaista vastuuta näiden ohjeiden oikeellisuudesta. LDMOS transistorit ovat varsin ESD ym. herkkiä komponentteja (erityisesti hila) eli käytä samoja varotoimenpiteitä kuin käsitellessäsi GaAsFETteja tms. herkkiä etuvahvistin transistoreja. Allekirjoittanut tuhosi 2kpl transistoreja ennenkuin uskoi varovaisen kästtelyn olevan tarpeen. Hyötysuhde säilyi kuitenkin melko hyvänä (5 transistorin vahvistin syntyi vain 2 transsitorin hukalla;-)

Ari OH3LWP (26.3.2003)